根据外国媒体报道，ASML首席执行官最近告诉媒体采访，中国长期以来已经开发了国内光刻设备。首席执行官认为，即使中国仍然有很长的路要达到ASML技术，美国提出的开裂步骤只会适得其反，并使中国“更难取得成功”。他还说，与其防止像中国这样的竞争对手，不如关注变革。 “中国已经开始开发一些国内光刻的设备。尽管中国要满足ASML技术还有很长的路要走，但您试图停止的人将更加难以成功。”在此之前，中国科学院成功地开发了一个突破性的固态DUV（深紫外线）激光器，该激光器可能会释放193nm的相干性，与当前的主要DUV暴露波长相对应，并可以在3nm时推进半导体过程。 ang pangwakas na kapangyarihan ng laser na nakuha ng teknolohiyang ito mula sa Chinese Academy of Sciences ay 70MW, isang dalas ng 6kHz, isang linya ng linya sa ibaba 880MHz, isang buong kalahating maximum na lapad (FWHM) mas mababa sa 0.11pm (picometer, isang libong isang nanometer), at ang parang multo na puridad nito ay maihahambing sa umiiral Na Komersyal Na Excimer NA激光系统。基于此，也可以在3NM节点过程中使用。这种设计可以减少光刻系统的复杂性和数量，减少对稀有气体的依赖，并大大减少能源消耗。相关技术已发表在国际光电工程学会（SPIE）的官方网站上。尽管这种全稳态的DUV技术在可敬的纯度方面非常相似，但其输出强度和频率较低。与ASML技术相比，频率的胜利大约达到2/3，但输出强度仅为0.7％，因此仍然有必要继续重复和改进，然后才能实现它ed。 [本文的结尾]如果您需要打印，请确保指示来源：Kuai技术编辑：Xuehua